英飞凌于2023Q3财报,同比+13%/环比-0
2024-02-13英飞凌于8月3日（美东时间）发布FY2023Q3季报，本季度营收40.89亿欧元，同比+13%/环比-0.7%；毛利率44.5%，同比+1.3pcts/环比-2.1pcts。综合财报及交流会议信息，总结要点如下： 评论： 1、FY23Q3营收和毛利率同环比微降，库存和DOI环比持续增加。 FY23Q3营收为40.89亿欧元，同比+13%/环比-0.7%，超过指引预期（40亿欧元）；毛利率44.5%，同比+1.3pcts/环比-2.1pcts，排除非部门业绩影响，调整后毛利率为46.2%，环比-
英飞凌的IRFZ44NPBF
2024-02-13英飞凌科技股份公司，一个全球知名的半导体制造商，近日推出了一款全新的IRFZ44NPBF MOSFET。这款产品采用了TO-220-3封装，具有卓越的性能和稳定性，适用于各种不同的应用领域。 英飞凌的IRFZ44NPBF MOSFET是一款600V、40A的功率MOSFET。它的RDS(ON)值低至27mΩ，使其成为高效率、低功耗应用的理想选择。此外，IRFZ44NPBF的开关速度快，具有低Qgd值，有助于减小电磁干扰，提升系统的整体性能。 这款产品的封装形式为TO-220-3，是一种常见的高
英飞凌IRF540NPBF:卓越性能与高效应用的完美结合
2024-02-13英飞凌科技公司，作为全球知名的半导体供应商，始终秉持创新、品质与可靠性的核心理念。其IRF540NPBF型号的功率MOSFET，更是将英飞凌的技术实力与市场洞察力完美结合的代表。该产品采用TO-220AB封装，具有卓越的性能和广泛的应用领域。 IRF540NPBF是一款高功率、高电压的N通道增强型功率MOSFET。其低导通电阻（RDS(ON)）和大电流能力使其在各种应用中表现出色，特别是在高开关频率和高电压环境下。IRF540NPBF的开关速度快，可以降低系统功耗，提高整体效率。 在封装方面，
FPGA在人工智能和机器学习领域的应用
2024-02-13标题：FPGA在人工智能和机器学习领域的应用：加速推理与训练 随着人工智能和机器学习的发展，计算能力需求日益增长，传统的CPU已经无法满足这些需求。而FPGA（现场可编程门阵列）作为一种可编程硬件，具有并行处理和高速数据传输的能力，因此在人工智能和机器学习领域具有广泛的应用前景。 在推理方面，FPGA可以显著加速深度学习模型的运行。深度学习模型通常包含大量的参数和复杂的计算，这些都可以在FPGA上并行处理。通过利用FPGA的并行性和高速数据传输能力，可以大大提高深度学习模型的推理速度，从而提高
Xilinx FPGA和CPLD的可靠性设计和测试
2024-02-13随着现代电子系统的复杂度日益增长，对硬件的可靠性和性能的要求也在不断提高。Xilinx的FPGA和CPLD（复杂可编程逻辑设备）作为可编程硬件，因其灵活性和高性能，被广泛应用于各种电子系统中。然而，如何确保这些设备的可靠性和性能，成为了设计者们需要面对的重要问题。本文将介绍Xilinx FPGA和CPLD的可靠性设计和测试方法。 一、可靠性设计 1. 冗余设计：在关键电路设计中，采用多重路径和备份机制，以提高系统的容错能力。 2. 电源管理：采用高效的电源管理策略，确保电源的稳定性和一致性，降
评估FLASH存储性能:探究存储特性与优化方法
2024-02-12随着科技的快速发展，非易失性存储器FLASH已成为电子产品中的重要组成部分。它以其低能耗、快速读取和持久性等特性，在存储体系结构中占据了重要地位。然而，要充分发挥FLASH存储器的优势，就需要对其性能进行全面、准确地评估。本文将从以下几个方面对FLASH存储器的性能进行探讨。 一、存储性能的基础知识 存储性能通常指的是存储器执行读写操作的速度以及访问数据的延迟。在FLASH存储器中，这些性能参数受到多种因素的影响，包括存储单元的物理特性、存储器系统设计、数据编解码方式等。在评估FLASH存储性
W25Q128JVSIQ NOR FLASH的性能优势与应用
2024-02-12W25Q128JVSIQ NOR FLASH是一种由WINBOND品牌生产的存储设备，具有128Mbit的存储容量，封装为SOP-8-208mil。这种存储设备采用高速版设计，可在133MHz的频率下进行读写操作，比W25Q128FVSIG，W25Q128FVFIG等类似产品更具优势。 W25Q128JVSIQ NOR FLASH的特点主要有以下几个方面。首先，它具有高速的读写速度，可以在133MHz的频率下进行操作，比常规存储设备的读写速度更快，这意味着数据可以更快地被读取和写入，进而提高了
三星电子DRAM市场触底反弹
2024-02-12根据报道，2023年第二季度，三星电子的DRAM需求高于预期，导致价格开始反弹。这可能预示着DRAM市场正在经历触底反弹。此外，随着人工智能、大数据等技术的不断发展，对高带宽存储器（HBM）等高附加值DRAM的需求不断增加，这也将对DRAM市场的发展产生积极影响。 然而，需要指出的是，DRAM市场的发展受到多种因素的影响，包括市场需求、供应情况、技术进步等。因此，虽然三星的DRAM需求高于预期可能导致价格反弹，但这并不一定意味着DRAM市场正在经历触底反弹。更详细的市场分析和预测需要参考更多的
DRAM和SSD相比,谁的存储速度更快
2024-02-12DRAM和SSD相比，存储速度取决于多种因素。以下是具体的分析： 存取速度：DRAM的存取速度通常比SSD更快。DRAM主要通过地址总线访问数据，而SSD则需要通过FLASH接口进行数据读取，包括闪存地址译码和数据读取等步骤。因此，在单个数据项的访问方面，DRAM通常更快。带宽：在带宽方面，SSD通常比DRAM更具优势。SSD使用闪存接口进行多列同时访问，从而实现更高的带宽。而DRAM通常只能访问单列，因此带宽相对较低。数据持久性：SSD的存储单元是闪存，它的数据持久性比DRAM更高。DRAM
DRAM市场第三季度复苏
2024-02-12DRAM市场第三季度复苏，全球产业营收增长18% 随着DRAM市场的复苏，全球产业在第三季度实现了18%的营收增长。这一增长主要得益于合约价的上涨，预计第四季度合约价将继续上涨13%至18%。然而，需求方面的回温程度不如过去旺季，这将对DRAM产业的出货增长产生限制。 在具体厂商方面，三星在第三季度的DRAM营收实现了约15.9%的增幅，达到52.5亿美元。而SK海力士则受益于HBM和DDR5产品的需求，出货量连续三个季度增长，营收达到了46.26亿美元，季增幅度达34.4%。美光虽然平均销售