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问：AD8479内部电阻的阻值是多少？ AD8479简介 AD8479可用于测量高共模(±600V)下的差模信号，常用于高边电流测量，电池电压测量等应用。很多人对它内部的电阻阻值感兴趣，得知了内部阻值，就会对芯片如何实现其既定功能有所了解，但芯片资料并未给出全部的阻值。参考下图，只给出了两个1MΩ电阻的阻值，其他阻值如何确定？ AD629共模增益和差模增益 其实可以参考AD8479的“老大哥”，业界标杆----AD629。AD629的REF管脚接地时，V(out)=V(+IN)-V(-IN)，

很多人对阻容降压都比较了解，但是对阻容降压没有多少好感； 因为： ①设计参数通常和实际测试相差较远；（是因为思路不对，下面细讲） ②阻容降压因为输入输出没有隔离而比较危险。（其实绝缘和接地做好了也是非常安全的） 但是在小功率方面的优点是非常突出的：设计简单、成本低、体积小、广泛应用于小家电。 阻容降压其实可以做到很精确的计算，正是因为它的输入市电电压会发生变化（220V±10%），所以更要精确计算，使电路工作在最佳的设计参数下，保证质量可靠。 如图1为3W的LE照明灯，其电路采用阻容降压驱动。

W5100S-L是一款广泛使用的以太网控制器芯片，它具有高速的数据传输性能和丰富的功能。其中，缓存是影响其数据传输性能的关键因素之一。本文将介绍W5100S-L的缓存大小，并探讨如何优化缓存以提高数据传输性能。 一、W5100S-L的缓存大小 W5100S-L芯片内部具有可配置的缓存区，其大小可以通过芯片的寄存器进行设置。默认情况下，缓存区的大小通常为64字节。然而，根据实际应用的需求，可以通过调整缓存区的大小来优化数据传输性能。 二、优化缓存以提高数据传输性能 1. 合理配置缓存区大小：根据

在一些电源和低速信号线上，电容也会用来抗ESD，电容能抗多大的ESD电压呢？ESD耐性和电容量有什么关系呢？ TVS或者说ESD器件在制造过程中，可能会触发ESD事件，发生损坏，这些事件可以用三个模型来进行模拟。1. Human Body Model，简称HBM，人体模型，模拟人体静电放电时的测试。2. Machine Model，简称MM，机械模型，模拟机械静电放电时的测试。3. Charged Device Model，简称CDM，充电设备模型，模拟带电设备静电放电时的测试。 图片来自TI

旁路电容有什么作用及用途旁路电容（bypass电容）：用于导通或者吸收某元件或者一组元件中交流成分的一种电容。通常交直流中的交流部分被去除，而允许直流部分通过加有旁路电容的元件。实际上，大多数诸如微控制器（单片机）等的数字电路都是直流电路。这种电路里面的电压水平的变化会造成很多问题。如果电压变化太多，电路可能就会不正常地工作。对大多数情况来讲，纹波电压被认为是交流成分，旁路电容的目的就是要抑制这种交流成分，抑制这种电压噪声。旁路电容的另外一种说法就是滤波电容。 在左边的电路图里面，你可以清楚地