标题：IXYS艾赛斯IXBH12N300功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯公司的IXBH12N300功率半导体IGBT是一款高性能的功率电子器件，它具有30A的电流容量和160W的功率输出，适用于各种电子设备中。本文将介绍IXBH12N300的特性和应用，以及相关的技术方案。 首先，让我们了解一下IXBH12N300的特点。这款IGBT采用了IXYS艾赛斯公司的高压技术，具有高可靠性、高效率、低损耗等优点。它具有3000V的额定电压，能够承受较大的电流和电压变化，适用于各种高电压
标题：Infineon(IR) IKW40N60DTPXKSA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展，功率半导体器件在各个领域的应用越来越广泛。Infineon(IR)的IKW40N60DTPXKSA1功率半导体IGBT作为一种重要的功率电子器件，以其高效率、高耐压、高电流容量等特性，在工业、交通、能源等领域发挥着重要作用。 IKW40N60DTPXKSA1采用的是TRENCH/FS技术，这种技术使得器件的电流传输效率更高，同时也增强了器件的电气性能和热稳定性。这款器件的额定电
标题：IXYS艾赛斯IXYX30N170CV1功率半导体器件的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展，功率半导体器件在各个领域的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXYX30N170CV1功率半导体器件，以其卓越的性能和可靠性，成为了市场上的明星产品。本文将详细介绍IXYS艾赛斯IXYX30N170CV1功率半导体器件的技术和方案应用。 首先，我们来了解一下IXYS艾赛斯IXYX30N170CV1功率半导体器件的技术特点。这款器件采用IXYS公司自主研发的高压XPT IGB技术，具有1700
标题：Infineon(IR) AIKB15N65DF5ATMA1功率半导体DISCRETE SWITCHES的技术与方案应用介绍 随着科技的飞速发展，功率半导体DISCRETE SWITCHES在各种电子设备中的应用越来越广泛。其中，Infineon(IR) AIKB15N65DF5ATMA1功率半导体DISCRETE SWITCHES以其卓越的性能和可靠性，在众多领域中发挥着重要作用。本文将围绕该器件的技术特点和方案应用进行详细介绍。 一、技术特点 Infineon(IR) AIKB15N
标题：IXYS艾赛斯IXBH16N170A功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、技术概述 IXYS艾赛斯IXBH16N170A功率半导体IGBT是一款高性能的功率电子器件，其工作电压高达1700V，电流容量为16A，最大输出功率为150W。这种器件广泛应用于各种需要大功率、高效率的电子设备中，如电源转换、电机驱动、加热设备等。 二、特点与优势 IXBH16N170A的IGBT模块采用TO-247AD封装，具有紧凑的尺寸、高可靠性和长寿命等特点。其优越的性能表现在高电压、大电流和高热效率等方面，
标题：Infineon(IR) AIKB15N65DH5ATMA1功率半导体DISCRETE SWITCHES的技术与方案应用介绍 随着科技的飞速发展，功率半导体DISCRETE SWITCHES在各种电子设备中的应用越来越广泛。其中，Infineon(IR) AIKB15N65DH5ATMA1功率半导体DISCRETE SWITCHES以其出色的性能和卓越的方案应用，受到了业界广泛的关注。 首先，让我们来了解一下这款功率半导体DISCRETE SWITCHES的基本技术参数。AIKB15N6
STM意法半导体新碳化硅功率模块提升电动汽车的性能和续航里程
2024-07-302022年12月14日，中国 ---- 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司STM意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM)发布了可提高电动汽车性能和续航里程的大功率模块。意法半导体的新碳化硅 (SiC)功率模块已用在现代汽车公司的 E-GMP电动汽车平台，以及共享该平台的起亚 EV6 等多款车型。 意法半导体新推出的五款基于碳化硅MOSFET的功率模块为车企提供了灵活的选择，涵盖了多个不同的额定功率，并支持电动汽车 (EV) 电驱系统常
标题：IXYS艾赛斯IXBH16N170功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、简述产品 IXYS艾赛斯IXBH16N170是一款高性能的功率半导体IGBT，其特点为1700V的电压等级，40A的电流容量和250W的功率输出。这款IGBT模块采用TO247AD封装，具有紧凑的尺寸和良好的热性能，特别适合于高功率密度应用。 二、技术特点 IXBH16N170 IGBT的主要技术特点包括其高电压和大电流能力。这种器件能够在高电压下保持低导通电阻，从而提供高效的电能传输。此外，其良好的热性能使其在高温
标题：Infineon(IR) AIGB15N65F5ATMA1功率半导体DISCRETE SWITCHES的技术与方案应用介绍 随着科技的飞速发展，功率半导体DISCRETE SWITCHES在各个领域的应用越来越广泛。Infineon(IR)的AIGB15N65F5ATMA1功率半导体DISCRETE SWITCHES以其卓越的性能和解决方案，在电力转换、电子设备、工业应用等领域发挥着重要作用。 首先，我们来了解一下AIGB15N65F5ATMA1的特点。这款功率半导体DISCRETE S