碳化硅SIC能不能做IGBT
2024-02-07首先要说明SiC 也是可以做IGBT的。 碳化硅（SiC）是一种半导体材料，具有耐高压、耐高温、低损耗等优点，在电力电子领域应用广泛。SiC–IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管）是一种复合全控型电力电子器件，是电力电子技术领域中应用最广泛的一种半导体开关器件。相较于传统的硅IGBT，SiC-IGBT具有更高的工作温度、更高的开关速度和更低的开关损耗，因此具有更高的效率和更小的体积。此外，SiC-IGBT还具有反向恢复电荷小
如何降低SIC碳化硅的生产成本
2024-02-06要降低SIC碳化硅的生产成本，使其能够应用于更广泛的市场，可以考虑以下几种方法： 改进生产工艺：通过优化生产流程和改进生产工艺，可以降低SIC碳化硅的生产成本。例如，采用更大尺寸的SIC单晶晶锭，提高晶锭的利用率，可以降低单位面积的材料成本。研发更高效的设备：研发更高效的设备可以降低SIC碳化硅的生产成本。例如，研发更高效的切割设备，可以减少材料的浪费，提高晶锭的利用率。开发低成本的衬底材料：SIC碳化硅的生产成本还包括衬底材料的成本。开发低成本的衬底材料，如碳化硅纤维或碳化硅颗粒，可以降低S
碳化硅(SiC)半导体
2024-02-06碳化硅（SiC）半导体是一种使用碳化硅材料制成的半导体器件。碳化硅是一种由碳和硅元素稳定结合而成的晶体，具有独特的物理和化学性质，使其成为制造高效、高温和抗辐射器件的理想材料。 SiC半导体在电子、电力和能源等领域有广泛应用，主要得益于其高温稳定性、抗辐射性能、高击穿场强、低导通损耗和高热导率等优点。 与传统的硅（Si）半导体相比，SiC半导体的禁带宽度是硅的3倍，击穿场强是硅的8倍，这使得SiC半导体能够承受更高的温度、更强的电场和更强的辐射环境。此外，SiC半导体还具有高载流子迁移率和优良
SIC(碳化硅)与其他集成电路的比较
2024-02-06在当今的电子技术领域，各种集成电路类型层出不穷，每种都有其独特的优点和应用场景。其中，碳化硅（SIC）集成电路凭借其卓越的性能、低功耗和高效能，正逐渐成为行业关注的焦点。本文将对SIC与其他集成电路在性能、功耗和成本等方面进行比较，以揭示SIC的竞争优势。 一、性能比较 SIC与硅基集成电路相比，具有更高的禁带宽度、临界击穿电场、热导率和饱和速度。这些优异的材料特性使得SIC在高温、高频率和高电压环境下具有出色的性能表现。此外，SIC的导通电阻比硅基材料低，这有助于减少能量损失并提高系统效率。
基于碳化硅技术的汽车充电方案布局加速！广汽等4家企业采用
2024-01-302024年以来，包括广汽集团等4家企业均推出了基于碳化硅技术的汽车充电方案，意味着碳化硅有望在充电基础设施领域实现大规模应用： ● 广汽优湃：V2X双向充电桩采用碳化硅技术，充电效率可达97%。 ●Nyobolt ：开发了集成SiC器件的直流充电设备，充电效率可达99%。 ●积成科技：已打造碳化硅高功率充电系统，舜发充电桩斩获新能源奖项。 ●Flex：联合意法半导体推出SiC电源转换方案，包括 DC/DC 转换器和车载充电器。 广汽优湃： 推出SiC双向充电桩 1月11日，广汽集团旗下优湃能源
碳化硅SIC将会发力电动汽车？
2024-01-30SIC将会发力智能车 01 碳化硅 碳化硅在功率半导体市场（尤其是电动汽车）中越来越受欢迎，但对于许多应用来说仍然过于昂贵。 原因很容易理解，但直到最近，碳化硅在很大程度上还是一种不够成熟技术，不值得投资。现在，随着对可在高压应用中工作的芯片的需求不断增长，SiC 受到了越来越多的关注。与硅功率器件的其他潜在替代品不同，SiC 具有熟悉的优势。 SiC 最初用于晶体收音机中的检测器二极管，是最早具有商业价值的半导体之一。商用 SiC JFET 自 2008 年起就已上市，在极端环境的电子产品中
瑞萨电子：计划进军碳化硅功率器件领域，预计2025年会大批量产
2024-01-30来源：SiSC半导体芯科技 在刚刚过去的2023年，半导体成为全球科技创新的热点和区域博弈的焦点。半导体行业在2023年上半年经历了短暂的低迷，但下半年出现了复苏，许多公司取得了良好的业绩。展望2024年，消费电子需求复苏有望带动半导体行业结束下行周期；中长期来看，汽车电子化、人工智能和5G等新技术应用则会推动半导体行业持续向好发展。 站在2023年与2024年之间的交汇点，半导体行业接下来将向何处去？这些都是行业非常关心的。《半导体芯科技》杂志特别推出——“新年展望（2024 Outlook
碳化硅外延芯片领军企业瀚天成冲刺上交所IPO
2024-01-27瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司（以下简称“瀚天天成”）已顺利获得上交所科创板的IPO受理，此次IPO由中金公司担任保荐机构。瀚天天成成立于2011年，是一家中美合资企业，专注于碳化硅外延晶片的研发、生产和销售。目前，公司拥有月产能约4万片的外延晶片生产线，且已实现批量供应。 瀚天天成的实际控制人是赵建辉先生，他不仅持有公司控股股权，还一直担任公司的董事长。赵建辉先生的领导力和视野为瀚天天成的稳健发展提供了重要支持。 此次申请科创板上市，瀚天天成计划公开发行股票不超过4315万股，并计划募
碳化硅基MEMS器件助力高性能气体检测应用
2024-01-26MEMS器件广泛应用于机械、光学、射频、生物等领域，气体检测正是其重要应用方向之一。气体检测最常用的方法是基于气敏涂层的传感器，利用其气敏层与被检测物质之间的相互作用而实现气体检测目的。然而，气敏层会导致器件出现老化、可靠性下降和响应时间延长等问题。尤其是在一些特定的应用中（例如恶劣环境），MEMS器件制备常用的硅（Si）或硅基材料无法满足需求，而碳化硅（SiC）由于出色的物理性能，成为制备高性能MEMS器件的理想材料。 据麦姆斯咨询报道，针对上述问题，来自法国图尔大学（University