芯片资讯
你的位置:GD32兆易创新MCU芯片全系列-亿配芯城 > 芯片资讯 > 中国电子元器件网:Vishay推出新款共漏极双N沟道60 V MOSFET,提高功率密度和效率
中国电子元器件网:Vishay推出新款共漏极双N沟道60 V MOSFET,提高功率密度和效率
- 发布日期:2024-07-15 07:06 点击次数:211 该器件适用于24 V系统中的双向开关。最佳信噪比通常低至10 mW,单位面积信噪比达到行业最低水平。宾夕法尼亚州马尔文——2019年12月11日——几天前,vishayinter科技有限公司宣布推出小型热增强电源?1212-8SCD封装新的公共漏极双通道60v mosfet-sisf20dn。Vishay Siliconix SiSF20DN是业界最低的RS-S(开)60 V共用漏极装置,专门用于提高电池管理系统、直列和无线充电器、DC/DC转换器和电源的功率密度和效率。

相关资讯
- 电子工程师必备:Marvell(美满电子)产品线与料号解码,从型号到应用2025-09-11
- 瑞萨电子(RENESAS)的起源:日本三大电子巨头的半导体根基!2025-09-08
- 中国 Chiplet 芯粒产业全景整理:设计公司、封装专利、技术工艺及相关企业2025-08-28
- PCBA:电子产品的核心与制造流程解析2025-08-27
- 电子电路元器件套装与原理图解析:芯片分销商模式如何赋能电子设计2025-05-06
- 芯片供应链在人工智能和电子制造中的重要角色2025-04-28