6月26日消息，日本电容器（MLCC）大厂村田制作所（Murata）在6月26日宣布，计划到2028年对本土的金泽村田制作所、仙台村田制作所和芬兰子公司合计投资约100亿日元，以将硅电容器产能提高两倍。这一投资计划旨在提高硅电容器的生产能力，以满足未来全球市场对高性能电容器需求的增长。 

目前，硅电容器的应用仅限于医疗设备，但未来有望扩展到智能手机和服务器等领域。村田制作所希望通过这次投资和增产能够及时捕获更多的市场需求，并提高公司在高端电容器市场的竞争力。

硅电容器采用半导体制造工艺制作，其介电层为稳定性更好的硅材料。与当前的主流电容器相比，硅电容器具有更好的电容密度、可靠性、高频特性等优势，老化时间可长达10年，其额定温度甚至可高达250℃。在恶劣环境下，硅电容器有着更好的表现。

亿配芯城 59); white-space: normal; background-color: rgb(253， 253， 254);">然而，目前硅电容器的价格是普通MLCC的几十倍，因此其应用范围集中于高附加值、对成本不敏感的尖端医疗设备等领域。但考虑到硅电容器在轻薄方面的优势，对于内部空间越来越捉襟见肘的智能手机而言，硅电容器也是相当不错的选择。村田制作所的硅电容器厚度可低至0.05毫米。

此外，村田制作所（Murata）还计划在全球建立相同的生产系统，以实现硅电容器供应的全球化。今年3月，村田制作所曾宣布将于2024年之前向法国子公司投资约5000万欧元，以增加硅电容器的产能。这次投资计划将在两家日本工厂和芬兰子公司建立相同的生产系统，以实现全球化的硅电容器供应。

总的来说，村田制作所（Murata）通过大规模投资和增产计划，将提高硅电容器产能并扩大其在高端电容器市场的影响力。随着未来市场对高性能电容器需求的不断增长，村田制作所（Murata）的投资计划将有助于其抓住更多商机，并推动公司的发展。

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