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瑞萨出售CBRAM低功耗存储器芯片技术给格芯
发布日期:2024-05-18 07:00     点击次数:96

2月10日,GlobalFoundries(格芯)最近宣布,已收购瑞萨电子(Renesas Electronics)的专利和经过生产验证的传导桥接RAM(CBRAM)芯片技术,这是一种低功耗存储器解决方案,旨在实现家庭和工业物联网以及智能移动设备的一系列应用。 

格芯 瑞萨 CBRAM 芯片技术.png

GlobalFoundries宣布收购瑞萨CBRAM低功耗存储芯片技术。

该交易进一步加强了格芯的存储器产品组合,并通过增加另一个可靠的、可定制的嵌入式存储器解决方案来扩大其嵌入式非易失性存储器芯片(NVM),该解决方案相对容易集成到其他芯片技术节点。具体而言,这项技术将使客户进一步差异化他们的SoC设计,并推动新一代安全和智能设备的发展。

格芯说,GD32兆易创新MCU芯片 “我们致力于差异化我们的技术组合,成为我们客户今天和未来几十年高能效物联网应用的基础。通过收购这一创新的存储器技术,格芯现在在加快NVM解决方案的开发方面发挥了至关重要的作用,这将使我们的客户能够设计下一代智能互联设备。CBRAM技术开启了性能和超低功耗的新范式,使从可穿戴设备到智能手机的应用程序在特定用例中将电池充电时间从几小时延长到几周甚至几年。”

GlobalFoundries(格芯)宣布收购瑞萨CBRAM低功耗存储技术。 

瑞萨 RENESAS CBRAM技术.jpg

CBRAM的低功耗、高读/写速度、低制造成本以及对恶劣环境的耐受性使其成为消费者、医疗和某些工业应用的理想选择。2020年,格芯与Dialog Semiconductor(于2021年被瑞萨收购)达成许可协议,将其CBRAM芯片技术作为嵌入式NVM选项。CBRAM目前正在该公司的22FDX平台上进行认证,并计划将其扩展到其他平台。