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中国电子元器件网:Vishay推出新款共漏极双N沟道60 V MOSFET,提高功率密度和效率
- 发布日期:2024-07-15 07:06 点击次数:200 该器件适用于24 V系统中的双向开关。最佳信噪比通常低至10 mW,单位面积信噪比达到行业最低水平。宾夕法尼亚州马尔文——2019年12月11日——几天前,vishayinter科技有限公司宣布推出小型热增强电源?1212-8SCD封装新的公共漏极双通道60v mosfet-sisf20dn。Vishay Siliconix SiSF20DN是业界最低的RS-S(开)60 V共用漏极装置,专门用于提高电池管理系统、直列和无线充电器、DC/DC转换器和电源的功率密度和效率。
![Vishay](http://r01/TP04A/P03/file/191212/8-1.jpg)
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