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中国电子元器件网：Vishay推出新款共漏极双N沟道60 V MOSFET，提高功率密度和效率
发布日期：2024-07-15 07:06     点击次数：200
该器件适用于24 V系统中的双向开关。最佳信噪比通常低至10 mW，单位面积信噪比达到行业最低水平。宾夕法尼亚州马尔文——2019年12月11日——几天前，vishayinter科技有限公司宣布推出小型热增强电源？1212-8SCD封装新的公共漏极双通道60v mosfet-sisf20dn。Vishay Siliconix SiSF20DN是业界最低的RS-S(开)60 V共用漏极装置，专门用于提高电池管理系统、直列和无线充电器、DC/DC转换器和电源的功率密度和效率。 Vishay 最近发布的双芯片MOSFET在10伏时的典型导通电阻(RS-S)值低至10毫瓦，是3毫米×3毫米封装中导通电阻最低的60伏器件，比该封装尺寸排名第二的产品低42.5%，比Vishay上一代器件低89%。从而降低电源通道压降，降低功耗，提高效率。为了提高功率密度，SiSF20DN的RS1S2(开)面积积比第二代MOSFET低46.6%，甚至包括6mm×5mm的更大封装解决方案为了节省印刷电路板空间，减少元件数量，简化设计，该器件采用优化的封装结构，配有两个单片挖沟机？第四代氮沟道金属氧化物半导体场效应晶体管使用公共漏极配置。SiSF20DN源极触点并排布置， 电子元器件采购网 与传统的双封装器件相比，增加了连接以改善印刷电路板接触面积，并进一步降低了电阻率。这种设计使金属氧化物半导体场效应晶体管适用于24 V系统和工业应用的双向开关，包括工厂自动化、电动工具、无人驾驶飞行器、电机驱动器、白色家电、机器人、安全/监控和烟雾报警器。SiSF20DN已经过100% Rg和UIS测试，符合RoHS要求且无卤素。新的金属氧化物半导体场效应晶体管现在可以提供样品，并且已经批量生产，批量订单的供应周期为30周。VISHAY档案在纽约证券交易所(VSH)上市的“财富1000强企业”Vishay Intertechnology，Inc .，是世界上最大的分立半导体(二极管、场效应晶体管和红外光电器件)和无源电子元件(电阻、电感和电容)制造商之一。这些组件可用于工业、计算、汽车、消费者、通信、国防、航空航天、电力和医疗市场的几乎所有类型的电子设备。凭借产品创新、成功的收购战略和“一站式”服务，维西已成为全球行业领导者。PowerPAK是Siliconix公司的注册商标。亿配芯城 - 电子元器件网上商城，提供上1400万种电子元器件采购、集成电路价格查询及交易，集成芯片查询，保证原厂正品，是国内专业的电子元器件采购平台，ic网,电子市场网,集成芯片,电子集成电路,ic技术资料下载,电子IC芯片批发,ic交易网,电子采购网,电子元器件商城,电子元器件交易,中国电子元器件网,电子元器件采购平台,亿配芯城

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