芯片资讯
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2024-08
造成贴片电容不良的几种原因
一、开裂（指电容器上出现裂痕导致产品无法正常工作），这种现象一般是低阻造成。原因有： 1. PCB受外力后断路居多。 2. 非电容本体受了外力撞击，就有可能会短路或呈低阻。 3. 外施应力电压过高也会导至MLCC电容失效，一般是短路或低阻，但此类现象在预留足够余量的情况下应该不多。 这种情况一般要先检查产品工作时是否需要震动或者摇晃，再检查产品容量是否达到要求。 二、短路烧毁（指电容在PCB板工作时出现毁坏现象导致产品无法继续工作），造成这种现象的原因一般有： 1.电容封装型号不够大; 2.预
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2024-08
探讨5G行业新标准 Soitec再次出席第七届SOI产业高峰论坛
Soitec参与第七届SOI产业顶峰论坛：展现共同产品组合，制定全新行业规范，全面助力5G开展。 北京，2019年9月17日作为设计和消费创新半导体资料的全球领军企业，法国Soitec半导体公司于9月16日和17日列席了第七届上海FD-SOI论坛和国际RF-SOI研讨会，讨论SOI及其它优化衬底如何助力5G及AIoT快速开展。本届由SOI国际产业联盟举行的峰集聚集了众多来自世界抢先的半导体公司、研讨机构、投资机构和政府部门的行业专家。 Soitec参与第七届SOI产业顶峰论坛 作为中国SOI生
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08
2024-08
PCB板画废了，才知道阻抗设计这么重要！
1、什么是阻抗 在电学中，常把对电路中电流所起的阻碍作用叫做阻抗。阻抗单位为欧姆，常用Z表示，是一个复数： Z= R+i(ωL–1/(ωC)) 具体说来阻抗可分为两个部分，电阻（实部）和电抗（虚部）。 其中电抗又包括容抗和感抗，由电容引起的电流阻碍称为容抗，由电感引起的电流阻碍称为感抗。 2、阻抗匹配的理想模型 射频工程师大都遇到过匹配阻抗的问题，通俗的讲，阻抗匹配的目的是确保能实现信号或能量从“信号源”到“负载”的有效传送。 其最最理想模型当然是希望Source端的输出阻抗为50欧姆，传输线
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07
2024-08
华为 Mate 30 系列正式发布 与iPhone11一战雌雄
北京时间 2019 年 9 月 19 日晚间八点钟，华为Mate 30系列发布会在德国慕尼黑正式开端。 配置方面，华为终端掌门人余承东将Mate30 Pro称为第二代5G手机。这种说法主要由于Mate30 Pro所采用的麒麟990 5G芯片，它改动了以前高通等厂商SoC外挂5G基带的方式，支持NSA和SA两种组网方式，两个卡槽中能够恣意4G+5G方式装载，并能够在卡槽2中放入华为规范的存储卡。 电池容量方面，华为Mate 30内置4200mAh电池，华为Mate 30 Pro内置4500mAh
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05
2024-08
三星狂追Sony！再推首个0.7μm图像传感器
不让Sony专美于前，近年三星在图像传感器市场动作同样频频，继先前推出全球首个超越1亿像素的图像传感器ISOCELL Bright HMX，24日再发表全球单位像素最小的图像传感器ISOCELL Slim GH1，单位像素减少到0.7m(微米)，主攻强调轻薄的无边框手机市场。 24日三星发表0.7m图像传感器ISOCELL Slim GH1，解析度达4370万像素（43.7Mp），这是三星继2015年推出首个1m图像传感器、在64MP和108MP像素开展到运用0.8m后的再一新打破，也刷新了业
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04
2024-08
开关电源中的局部放电
一、局部放电现象局部放电（partial discharge，简称PD）现象，通常主要指的是高压电气设备绝缘层在足够强的电场作用下局部范围内发生的放电，某个区域的电场强度一旦达到其介质击穿场强时，该区域就会出现放电现象。这种放电以仅造成导体间的绝缘局部短（路桥）接而不形成导电通道为限。每一次局部放电对绝缘介质都会有一些影响，轻微的局部放电对电力设备绝缘的影响较小，绝缘强度的下降较慢；而强烈的局部放电，则会使绝缘强度很快下降。实际上，局部放电现象不仅仅发生在高压电气设备中，也会发生在开关电源系统
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03
2024-08
如何解决AC到DC线路驱动器问题
LED应用需要直流电才能运行。然后，本文将介绍一些当前的AC到DC线路驱动器问题，以及制造商如何解决该问题以便为LED提供DC电源。背景操作LED系统的最简单方法是拥有随时可用的DC电源，例如可用来驱动电流的电池。使用电池作为直流电源的优点是可以设计相对简单的电路，该电路可以根据所使用的LED的特定电压在相对安全的电压下进行操作。今天部署的许多分立照明类LED的标称电压约为3 VDC，可以串联，并联或串并联组合布置，以实现所需的光并与直流电源紧密匹配。尽管直流电是为LED供电的一种好方法，但很
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02
2024-08
第二大晶圆厂GlobalFoundries寻求上市 最快2022年实现
2009年AMD将半导体制造业务拆分出来成立了GlobalFoundries（格芯，简称GF）公司，自此AMD变成了Fabless无晶圆公司，芯片消费主要交给GF代工，随后AMD不时减持股份，曾经跟GF没有持股关系了，后者如今是穆巴达拉投资下属的全资子公司。 由于这段历史关系，GF公司不断被玩家称为AMD的女友，不过二者的名分早就没了，变成了地道的金钱关系，去年GF宣布退出7nm工艺研发作产之后，AMD也把7nm订单转给了台积电，如今的7nm锐龙及Navi显卡都是台积电代工的，GF只保存14n
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01
2024-08
基于EPM7256AETC100－5实现CDMA2000 BTS时钟同步的应用解决方案
1 引言第三代移动通信体制（3G），能够提供从语音到数据的全方位业务［1，2］。CDMA2000的3G通信网络主要由核心网（CN），CDMA2000基站控制器（BSC）和基站收发系统（BTS）构成。一个BSC可以带若干基站，每个BTS可以带若干扇区载频，BTS通过A bis接口与BSC相连，BSC通过A1，A2，A5接口与移动交换中心（MSC）相连，而 BSC与BSC之间采用A3、A7接口，BSC和BTS构成接入网子系统BSS。要求系统时钟与GPS或 GLONASS同步，当外同步失效时，系统本
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2024-07
环境对电容器性能的影响
所有电容器的性能、储存寿命和使用寿命很大程度取决于他们所在的环境条件。不仅要考虑单一环境因素对电容器的关系，而且必须要考虑这些环境因素不同组合的效应。影响电容器性能和寿命的主要环境因素是:环境温度、湿度、振动、冲击、加速度及大气压力等.对这些单一的环境因素影响扼要讨论如下。一.环境温度1. 高温电容器周围的 高工作环境温度对其应用是至关重要的,温度上升使一切化学、电化学反应加速,介质材料易老化,电容器的使用寿命随温度的增加而减少。电容量随温度增大而变化的情况取决于介质介电常数与温度的关系，有正
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2024-07
STM意法半导体新碳化硅功率模块提升电动汽车的性能和续航里程
2022年12月14日，中国 ---- 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司STM意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM)发布了可提高电动汽车性能和续航里程的大功率模块。意法半导体的新碳化硅 (SiC)功率模块已用在现代汽车公司的 E-GMP电动汽车平台，以及共享该平台的起亚 EV6 等多款车型。 意法半导体新推出的五款基于碳化硅MOSFET的功率模块为车企提供了灵活的选择，涵盖了多个不同的额定功率，并支持电动汽车 (EV) 电驱系统常
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2024-07
车载T-BOX中MCU和SoC通信方案（SPI通信方式）
在车载T-BOX中，MCU和SoC之间必然存在数据通信，本篇文章将分享一种基于SPI通信方式方案。SoC作为主机，MCU作为从机，配置模式如下所示： 通信模式：模式0；通信速率：4.8Mbps；数据存储：小端模式；数据长度：每包256Byte。MCU和SoC物理连接如图所示：名词解析：MISO：主设备输入从设备输出；MOSI：主设备输出从设备输入；SCLK：时钟信号，主设备产生；CS：片选，主设备控制，低电平有效；S_RQ：从设备请求数据信号，通知主设备开始通信；M_RQ：主设备发送数据信号，